Аннотация:Одной из эффективных технологий точного регулирования времени жизни носителей заряда и, следовательно прецизионной подгонки параметров тиристоров, от него зависящих, является облучение ускоренными электронами. Снижение времени жизни неосновных носителей заряда в базе прибора, происходит за счет формирования радиационных центров. При этом влияние вводимых радиационных дефектов на изменение времени жизни носителей заряда таково, что на определенном участке доз облучения величина обратного времени жизни неосновных носителей заряда линейно растет с флюенсом ускоренных электронов. Коэффициент пропорциональности называется коэффициентом радиационного изменения времени жизни неосновных носителей заряда. Практика показывает, что при электронном облучении высокоомного «силового» безтигельного или нейтронно-легированного кремния значение коэффициента радиационного изменения времени жизни неосновных носителей заряда весьма стабильно и мало меняется в партиях поставляемого материала. Это обеспечивает возможность прецизионного регулирования времени жизни носителей заряда в n-базе полупроводникового элемента.