Epitaxial YBa2Cu3O9(7-δ)/SrTiO3 heterostructures grown by pulsed laser deposition for voltage agile microwave filter applicationsстатья

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 августа 2018 г.

Работа с статьей


[1] Epitaxial yba2cu3o9(7-δ)/srtio3 heterostructures grown by pulsed laser deposition for voltage agile microwave filter applications / K. Bouzehouane, P. Woodall, B. Marcilhac et al. // J. Phys. IV France. — 2001. — Vol. 11, no. 11. — P. Pr11–41–pr11–45. The performance of tunable microwave devices based on heteroepitaxial YBa2Cu3Ox/SrTiO3 films on (001) LaAlO3 substrate has been evaluated. It has been ascertained that 'out-of-plane' SrTiO3 lattice parameter is the relevant factor in determining both the agility and dielectric loss of the SrTiO3 layers. After high temperature annealing (1100 oC, 1 atm O2), only SrTiO3 layers deposited under low oxygen pressure (˜ 10-5 Torr) show an appreciable reduction of the dielectric losses whilst maintaining high agility. Annealed samples exhibit voltage independent losses of ˜ 5.10-3 simultaneously with 55% dielectric agility at 6 GHz and 77K. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть