РЕНТГЕНОВСКАЯ РЕФЛЕКТОМЕТРИЯ И ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ СВЕРХРЕШЕТОК С НАНОКРИСТАЛЛАМИ КРЕМНИЯтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] РЕНТГЕНОВСКАЯ РЕФЛЕКТОМЕТРИЯ И ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ СВЕРХРЕШЕТОК С НАНОКРИСТАЛЛАМИ КРЕМНИЯ / Д. М. Жигунов, И. А. Каменских, А. М. Лебедев∗ и др. // Сборник тезисов докладов Совещания пользователей Курчатовского комплекса синхротронно-нейтронных исследований (20 – 23 ноября 2017 года). — Изд-во Национального исследовательского центра Курчатовский институт Москва, 2017. — С. 42–42. Исследованы структурные свойства и особенности химического состава многослойных тонких пленок SiOxNy/SiO2, SiOxNy/Si3N4 и SiNx/Si3N4 с ультратонкими (1–1.5 нм) барьерными слоями SiO2 или Si3N4. Пленки были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы и отожжены при температуре 1150◦С для формирования нанокристаллов кремния в обогащенных кремнием слоях SiOxNy или SiNx номинальной толщиной 5 нм. Период сверхрешеток в исследуемых образцах был оценен методом рентгеновской рефлектометрии. Фазовый состав сверхрешеток был исследован методом рентгеноэлектронной спектроскопии с использованием разложения фотоэлектронных спектров Si 2p-, N 1s- и O 1s-уровней на компоненты, соответствующие различным зарядовым состояниям атомов. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (соглашение RFMEFI61614X0006).

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть