Interaction of F atoms with SiOCH ultra low-k films Part II: etchingстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 июня 2015 г.

Работа с статьей


[1] Interaction of f atoms with sioch ultra low-k films part ii: etching / T. V. Rakhimova, D. V. Lopaev, Y. A. Mankelevich et al. // Journal of Physics D - Applied Physics. — 2015. — Vol. 48, no. 17. — P. 175204–(14pp). [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть