Relaxation of photoinduced metastable states in a-Si:H films deposited at high temperatures Kurova Iстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 апреля 2015 г.

Работа с статьей


[1] Relaxation of photoinduced metastable states in a-si:h films deposited at high temperatures kurova i / I. A. Kurova, N. N. Ormont, O. A. Golikova, M. M. Kazanin // Semiconductors. — 1998. — Vol. 32, no. 10. — P. 1134–1136. The results of an experimental study of dark-conductivity kinetics in a-Si:H after short-term and long-term illumination, are presented. The films were deposited at temperatures in the range Ts=300-390oC. Data on relaxation of the photoinduced metastable states were found to correlate with the Fermi-level position.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть