|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Double Fe-impurity charge state in the topological insulator Bi2Se3статья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Авторы: Stolyarov V.S., Remizov S.V., Shapiro D.S., Pons S., Vlaic S., Aubin H., Baranov D.S., Brun Ch, Yashina L.V., Bozhko S.I., Cren T., Pogosov W.V., Roditchev D.
- Журнал: Applied Physics Letters
- Том: 111
- Номер: 251601
- Год издания: 2017
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- DOI: 10.1063/1.5002567
- Аннотация: The influence of individual impurities of Fe on the electronic properties of topological insulatorBi2Se3 is studied by Scanning Tunneling Microscopy. The microscope tip is used in order toremotely charge/discharge Fe impurities. The charging process is shown to depend on the impuritylocation in the crystallographic unit cell, on the presence of other Fe impurities in the closevicinity, and on the overall doping level of the crystal. We present a qualitative explanation of theobserved phenomena in terms of tip-induced local band bending. Our observations evidence thatthe specific impurity neighborhood and the position of the Fermi energy with respect to both theDirac point and bulk bands have to be taken into account when considering the electron scatteringon the disorder in topological insulators.
- Добавил в систему: Столяров Василий Сергеевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | 1712.00915.pdf | 3,5 МБ | 15 декабря 2017 [Stolyarov] | |
| 2. | Полный текст | 1.5002567.pdf | 2,9 МБ | 21 ноября 2018 [Stolyarov] |