Noncontact Determination of the Rate of Surface Recombination of Nonequilibrium Charge Carriers at the p-p+ (n-n+) Boundaries of n+-p(n)-p+ Silicon Structures by Means of Compensationстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 мая 2018 г.