Influence of annealing temperature and its atmosphere on the properties of zinc implanted siliconстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 декабря 2017 г.

Работа с статьей


[1] Influence of annealing temperature and its atmosphere on the properties of zinc implanted silicon / V. V. Privezentsev, V. S. Kulikauskasv, V. V. Zatekin et al. // Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2017. — Vol. 11, no. 3. — P. 625–633. The presented results characterize nanoparticle formation in n-Si(100) samples implanted with 50-keV 64Zn+ ions (the dose is 5 × 1016 cm‒2) at room temperature followed by heat treatment in an oxygen or nitrogen atmosphere at temperatures of 400–900oC. Defects and zinc concentration profiles are investigated via the Rutherford backscattering spectroscopy with the help of the channeling technique, in which 1.7-MeV He+ ions are scattered at an angle of 110o. The silicon surface layer is visualized using a transmission electron microscope equipped with an energy-dispersive microanalyzer. The surface topology of the implanted and annealed samples is studied via atomic-force microscopy. The implantation process is accompanied by the formation of a 150-nm-thick amorphous Si surface layer containing Zn nanoparticles with an average size of 4 nm, below which a radiation-damaged layer 50 nm thick is generated. After 800oC annealing in an oxygen atmosphere, a recrystallized single-crystal silicon layer with a complex ZnO/Zn2SiO4 phase is formed. After 800oC annealing in a nitrogen atmosphere, a recrystallized polycrystalline Si layer involving Zn nanoparticles is created. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть