X-ray Reflectivity and Photoelectron Spectroscopy of Superlattices with Silicon Nanocrystalsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 января 2018 г.

Работа с статьей


[1] X-ray reflectivity and photoelectron spectroscopy of superlattices with silicon nanocrystals / D. M. Zhigunov, I. A. Kamenskikh, A. M. Lebedev et al. // JETP Letters. — 2017. — Vol. 106, no. 8. — P. 517–521. The structural properties and features of the chemical composition of SiOxNy/SiO2, SiOxNy/Si3N4, and SiNx/Si3N4 multilayer thin films with ultrathin (1–1.5 nm) barrier SiO2 or Si3N4 layers are studied. The films have been prepared by plasma chemical vapor deposition and have been annealed at a temperature of 1150oС for the formation of silicon nanocrystals in the SiOxNy or SiNx silicon-rich layers with a nominal thickness of 5 nm. The period of superlattices in the studied samples has been estimated by X-ray reflectivity. The phase composition of superlattices has been studied by X-ray electron spectroscopy using the decomposition of photoelectron spectra of the Si 2p, N 1s, and O 1s levels into components corresponding to different charge states of atoms. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть