Formation of zirconia-ceria layers on silicon wafers using laser ablationстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 декабря 2017 г.

Работа с статьей


[1] Formation of zirconia-ceria layers on silicon wafers using laser ablation / A. G. Akimov, D. B. Bogomolov, A. E. Gorodetskii et al. // Thin Solid Films. — 1994. — Vol. 238, no. 1. — P. 15–20. The effects of oxygen pressure and silicon substrate temperature on the formation of zirconia, ceria and ceria-stabilised zirconia layers have been studied by electron microscopy. The composition of the layers and the interaction at the oxide/silicon interface have been analysed using Auger electron spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and Rutherford backscattering spectroscopy. The conditions of the epitaxial growth of cerium-stabilised zirconia films produced by laser ablation have been found. A good matching of lattice parameters may allow the use of these oxides as buffer layers for high temperature superconductive film epitaxy on silicon wafers. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть