Изучение влияния условий роста методом хгфо в режиме дугового разряда на образование и габитус кристаллов алмазастатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 августа 2018 г.

Работа с статьей


[1] Изучение влияния условий роста методом хгфо в режиме дугового разряда на образование и габитус кристаллов алмаза / А. Н. Блаут-блачев, А. А. Аверин, А. В. Шапагин, Б. В. Спицын // Физикохимия поверхности и защита материалов. — 2017. — Т. 53, № 1. — С. 70–74. Экспериментально изучено формирование кристаллов алмаза методом CVD в газовой смеси метан/водород с использованием дугового разряда постоянного тока для активации газовой смеси. Получены данные о зависимости размеров кристаллов от состава газовой смеси, температуры подложки и других параметров. Скорость роста кристаллов при используемом методе может превышать 100 мкм/ч. Показано участие в процессе роста кристаллов электронов и отрицательно заряженных частиц. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть