|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Изучение влияния условий роста методом хгфо в режиме дугового разряда на образование и габитус кристаллов алмазастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 августа 2018 г.
- Авторы: Блаут-блачев А.Н., Аверин А.А., Шапагин А.В., Спицын Б.В.
- Журнал: Физикохимия поверхности и защита материалов
- Том: 53
- Номер: 1
- Год издания: 2017
- Издательство: ИКЦ «Академкнига»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 70
- Последняя страница: 74
- Переводные версии: A study of the effect of growth conditions in CVD method with ARC-discharge on diamond crystal nucleation and habit
- DOI: 10.7868/S004418561701003X
- Аннотация: Экспериментально изучено формирование кристаллов алмаза методом CVD в газовой смеси метан/водород с использованием дугового разряда постоянного тока для активации газовой смеси. Получены данные о зависимости размеров кристаллов от состава газовой смеси, температуры подложки и других параметров. Скорость роста кристаллов при используемом методе может превышать 100 мкм/ч. Показано участие в процессе роста кристаллов электронов и отрицательно заряженных частиц.
- Добавил в систему: Блаут-Блачев Алексей Николаевич
Библиографическая ссылка на публикацию в стиле
ГОСТ |
plain |
abbrv |
acm |
alpha |
amsalpha |
amsplain |
apalike |
ieeetr |
siam
| [1] | Изучение влияния условий роста методом хгфо в режиме дугового разряда на образование и габитус кристаллов алмаза / А. Н. Блаут-блачев, А. А. Аверин, А. В. Шапагин, Б. В. Спицын // Физикохимия поверхности и защита материалов. — 2017. — Т. 53, № 1. — С. 70–74. Экспериментально изучено формирование кристаллов алмаза методом CVD в газовой смеси метан/водород с использованием дугового разряда постоянного тока для активации газовой смеси. Получены данные о зависимости размеров кристаллов от состава газовой смеси, температуры подложки и других параметров. Скорость роста кристаллов при используемом методе может превышать 100 мкм/ч. Показано участие в процессе роста кристаллов электронов и отрицательно заряженных частиц. [ DOI ] |