|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Электронный спиновый резонанс в гетероструктурах InGaAs/GaAs с δ-слоем марганцастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Дмитриев А.И., Моргунов Р.Б., Зайцев С.В.
- Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики
- Том: 139
- Номер: 2
- Год издания: 2011
- Первая страница: 367
- Последняя страница: 377
- Аннотация: Исследованы статические и высокочастотные динамические магнитные свойства, а также фотолюминесценция двумерных полупроводниковых гетероструктур GaAs, содержащих квантовую яму InGaAs и тонкий слой марганца (δ-слой). Установлены температура Кюри T_C\approx 35 К и поле магнитной анизотропии H_a\approx 600 Э ферромагнитного δ-слоя марганца. В спектре спинового резонанса обнаружена линия в слабых полях (от -50 до 100 Э), наблюдаемая в том же температурном интервале T<40 K, в котором происходит ферромагнитное упорядочение δ-слоя марганца. Данная линия, по-видимому, обусловлена нерезонансным вкладом спин-зависимого рассеяния носителей заряда в отрицательное магнитосопротивление. Зависимости степени поляризации фотолюминесценции от магнитного поля также свидетельствуют о ферромагнитном поведении δ-слоя марганца.
- Добавил в систему: Моргунов Роман Борисович