Iron ions distribution profile obtained by irradiating the silicon single crystalстатья Исследовательская статья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 марта 2018 г.

Работа с статьей


[1] Iron ions distribution profile obtained by irradiating the silicon single crystal / A. A. Shemukhin, A. V. Kozhemiako, Y. V. Balakshin, V. S. Chernysh // Journal of Physics: Conference Series. — 2017. — Vol. 917. — P. 1–5. Iron ions with energies of 90 and 250 keV and the irradiation dose of 1016 ions/cm2 and xenon ions with energies of 100 keV and dose 7,7×1014 cm-2, 200 keV and dose 2,6 × 1014 cm-2 were implanted in the single crystal of silicon (110). The distribution profiles of implanted impurity, as well as the distribution profiles of the radiation defects in the crystal lattice, were studied by the Rutherford backscattering method in combination with channeling. The experimental results were compared with the results of simulations of binary collisions of the Monte Carlo method in the TRIM program. It is shown that the difference between the experimental data and the calculation program TRIM is more than 35% in all cases. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть