|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
ZnSb and GaSb bulk amorphous-semiconductors: Transport propertiesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 февраля 2015 г.
- Авторы: Antonov V.E., Barkalov O.I., Kolyubakin A.I., Ponyatovsky E.G.
- Журнал: Physica Status Solidi (B): Basic Research
- Том: 198
- Номер: 1
- Год издания: 1996
- Издательство: John Wiley & Sons Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 497
- Последняя страница: 501
- DOI: 10.1002/pssb.2221980165
- Аннотация: Temperature dependencies of the conductivity and thermopower of bulk amorphous semiconducting alloys Zn41Sb59 and Ga100-xSbx with 47.5 < x < 55 were measured at 80 to 370 K and 120 to 370 K, respectively. The samples were prepared by solid state amorphization of the quenched high pressure phases occurring on heating at ambient pressure. The electrical properties of nonstoichiometric a-Zn41Sb59 are well described by the conventional Mott-Davis model. Those of both stoichiometric a-GaSb and nonstoichiometric a-Ga100-xSbx appear to be more unusual and require a modification of the model.
- Добавил в систему: Антонов Владимир Евгеньевич