|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Светоиндуцированная релаксация метастабильной проводимости нелегированных пленок a-Si:H, освещенных при повышенных температурахстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 сентября 2015 г.
- Авторы: Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 49
- Номер: 5
- Год издания: 2015
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 603
- Последняя страница: 605
- DOI: 10.1134/S1063782615050127
- Аннотация: Исследована кинетика релаксации светоиндуцированной при температуре выше 140С метастабильной темновой проводимости нелегированных пленок a-Si:H. Измерения проводились в темноте и при подсветке разной интенсивности. Рассчитанные временные зависимости скорости релаксации темновой проводимости были проанализированы в предположении независимости от освещения термических скоростей генерации и релаксации метастабильных дефектов, образованных предварительной подсветкой. Показано, что особенности кинетики скоростей релаксации при подсветке определяются наличием светоиндуцированных процессов релаксации и генерации медленных метастабильных дефектов, энергетические уровни которых расположены в верхней половине запрещенной зоны.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна