|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Electroluminescence and band structure in p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs under uniaxial compressionтезисы доклада
- Авторы: Andreev E.V., Berman I.V., Bogdanov E.V., Kissel H., Kolokolov K.I., Minina N.Ya, Shirokov S.S., Yunovich A.E.
- Сборник: Conference Booklet. XLVIIth EHPRG Conference. 6th-11th September, 2009, Paris, France
- Тезисы
- Год издания: 2009
- Место издания: Paris, France
- Первая страница: 258
- Аннотация: Выполненные численные расчеты влияния одноосного сжатия вдоль направления [110] на зонную диаграмму гетероструктуры p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs свидетельствуют о возрастании оптической щели в ней со скоростью порядка 85 мэВ/ГПа, уменьшении глубины квантовой ямы и пересечении подзон легких и тяжелых дырок в Г точке зоны Бриллюэна при давлении 450-500 МПа, что позволяет объяснить полученные на этих структурах при сжатии вдоль направлений [110] и [1-10] экспериментальные данные о росте интенсивности электролюминесценции качественно, а о сдвиге ее спектра в область более высоких энергий и количественно.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна