Electroluminescence spectra and current-voltage characteristics in laser diode structures p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs under uniaxial compressionтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с тезисами доклада


[1] Electroluminescence spectra and current-voltage characteristics in laser diode structures p-alxga1-xas/gaas1-ypy/n-alxga1-xas under uniaxial compression / E. V. Bogdanov, A. V. Chuyas, H. Kissel et al. // Abstracts. 4th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics. Chisinau. September 23-26, 2008. — Chisinau, Moldova, 2008. — P. 203. В работе сообщается о результатах изучения влияния одноосного сжатия вдоль направлений [110] и [1-10] на спектры электролюминесценции и вольт-амперные характеристики двойных гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs. При сжатии вдоль обоих направлений максимум излучения, наблюдаемый вблизи 753 нм при P = 0 и температуре 77 K, смещался в область более коротких волн, а интенсивность электролюминисценции возрастает в 2 – 3 раза при максимальных нагрузках P = 4 кбар. В то же время вольт-амперные характеристики меняются качественно различным образом: если при сжатии вдоль [110] проводимость нарастает, то при сжатии вдоль [1-10] она уменьшается. Такая трансформация вольт-амперных характеристик связывается с появлением пьезоэлектрического поля при деформации.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть