Глубокая очистка теллура для производства материалов электроники и фотоникистатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 марта 2018 г.

Работа с статьей


[1] Глубокая очистка теллура для производства материалов электроники и фотоники / М. Б. Гришечкин, Е. Н. Можевитина, А. В. Хомяков и др. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. — 2016. — Т. 19, № 4. — С. 235–240. Для проведения процесса получения высокочистого теллура методом вакуумной дистилляции предложена конструкция реактора из высокочистых кварцевого стекла и графита. В ходе процесса расплав теллура испаряется, пар переносится из горячей части системы в более холодную и конденсируется в виде твердой фазы (дистиллята) без образования жидкости. Изучены закономерности перераспределения примесей между дистиллятом и кубовым остатком, а также пространственное распределение примесей в дистилляте при проведении очистки металлического теллура. Установлено, что часть примесей, например щелочные металлы, Zn, Ni, V, редкоземельные металлы распределены равномерно по длине дистиллята (20 см). В то же время концентрация Se в дальней (от перегонного куба) части дистиллята превышает концентрацию в ближней части на порядок. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть