Аннотация:Квантовые явления и транспортные свойства двумерных электронов были исследованы в гетероструктурах GaAs/AlхGa1-хAs:Si с х = 0.3 и 0.5 при одноосном сжатии до 3.5 кбар вдоль направлений [110] и [1-10]. Установлено, что при низких температурах изменение свойств двумерных электронов при сжатии обусловлено в основном пьезоэлектрическим эффектом, который приводит к появлению электрического поля, направленного поперек гетерограницы.