Двумерные электроны на гетерогранице n-GaAs/AlGaAs при одноосном сжатиистатья

Работа с статьей


[1] Двумерные электроны на гетерогранице n-gaas/algaas при одноосном сжатии / Е. В. Богданов, А. А. Ильевский, В. Краак и др. // 34 совещание по физике низких температур. Труды. — Т. 2. — Ростов-на-Дону, 2006. — С. 78–79. Гальваномагнитные эффекты в слабом магнитном поле и осцилляции Шубникова–де-Гааза в квантующих магнитных полях до 6 T были исследованы в (100) n-GaAs/AlxGa1-xAs при гелиевых температурах в условиях одноосного сжатия до нагрузок Р = 3.5 кбар в направлениях [110] и [1-10]. Установлено, что изменение транспортных свойств двумерных электронов на гетерогранице n-GaAs/AlxGa1-xAs при сжатии обусловлено главным образом появляющимся пьезоэлектрическим полем. Это поле, которое направлено от подложки к гетерогранице при сжатии вдоль [1-10] и в противоположном направлении при сжатии вдоль [110], достигает величины 11.5 кВ/см при P = 1 кбар, что сравнимо с исходным встроенным полем порядка 100 кВ/см на гетерогранице. После освещения красным светодиодом, которое приводит к задержанной фотопроводимости, зависимость концентрации 2D электронов от нагрузки демонстрирует в случае сжатия вдоль [1-10] гистерезис, который также может быть связан с вызванным пьезополем перераспределением заряда в буферном и активном слоях гетероструктуры. При сжатии вдоль направления [110] этот эффект отсутствует.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть