Uniaxial stress influence on transport properties of 2D holes at p-GaAs/AlGaAs heterointerface under the condition of low temperature photoconductivityтезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
Аннотация:В работе сообщается о результатах исследования сопротивления и эффекта Холла в условиях отрицательной фотопроводимости, вызываемой освещением красным светодиодом, в гетероструктуре p-GaAs/AlGaAs при гелиевых температурах и одноосных давлениях до 3.4 кбар. Установлено, что спад проводимости при освещении обусловлен как уменьшением концентрации двумерных дырок, так и падением их подвижности. При этом одноосное сжатие существенно усиливает эффект падение подвижности при освещении, а на изменение концентрации влияет слабо.