|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Pressure dependence of 2D hole mobility in thermoactivated photoconductivity effect observed in p- GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructuresтезисы доклада
- Авторы: Berman I.V., Bogdanov E.V., Ilievsky A.A., Minina N.Ya, Kraak W.
- Сборник: Eleventh International Conference on High Pressure Semiconductor Physics. Conference abstracts
- Тезисы
- Год издания: 2004
- Место издания: Berkeley (USA)
- Первая страница: 84
- Аннотация: В интервале температур 1.5 – 20 К и при одноосном сжатии до 3.4 кбар были исследованы температурные зависимости подвижности двумерных дырок в гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As как в темноте, так и в условиях освещения красным фотодиодом. Численными расчетами показано, что уменьшение подвижности двумерных дырок в области температур ниже 5.5 K, где наблюдается недавно обнаруженный эффект термоактивируемой отрицательной фотопроводимости, может быть хорошо описано рассеянием на ионизованных глубоких донороподобных ловушках, находящихся в Al0.5Ga0.5As недалеко от гетерограницы.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна