Аннотация:Индуцированная одноосным сжатием сильная анизотропия транспортных, кинетических и оптических свойств гетероструктур p-(001)GaAs/AlхG1-хAs изучена теоретически и экспериментально. Как показали численные расчеты деформация приводит к анизотропии энергетического спектра двумерных дырок в плоскости приложения нагрузки, которая проявляется в экспериментально наблюдаемой барической зависимости анизотропии подвижности дырок, а также в сильной чувствительности коэффициента поглощения в далеком инфракрасном диапазоне к величине одноосной деформации и степени поляризации излучения. Наблюдается и анизотропия релаксации пьезосопротивления в гетероструктурах p-(001)GaAs/Al0.5Ga0.5As:Be после приложения нагрузки вдоль направления [1-10] сопротивление релаксирует к меньшему значению, а при сжатии вдоль [100] – к большему. Показано, что метастабильное состояние, приводящее к долговременным релаксациям пьезосопротивления и их анизотропии, вызывается возникновением в структуре пьезоэлектрического поля, которое меняет знак при сжатии вдоль направлений [1-10] и [110].