Фотоиндуцированная термоактивируемая проводимость в р-GaAs/Al0.5Ga0.5As ниже 5 К при одноосном сжатиитезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Фотоиндуцированная термоактивируемая проводимость в р-gaas/al0.5ga0.5as ниже 5 К при одноосном сжатии / В. Краак, Е. В. Богданов, Н. Я. Минина и др. // 33 Всероссийское совещание по физике низких температур. Тезисы докладов секций S и N: “Сверхпроводимость” и “Наноструктуры и низкоразмерные системы”. — Екатеринбург, 2003. — С. 226–227. Обнаружено, что при освещении гетероструктуры p GaAs/Al0.5Ga0.5As красным светодиодом при температурах жидкого гелия возникает отрицательная фотопроводимость, которая при выключении подсветки медленно релаксирует к темновому значению. Отрицательная фотопроводимость сильно зависит от температуры и исчезает уже при 5.5 К. Энергия термоактивации оценена из температурной зависимости концентрации двумерных дырок в квантовой яме и составляет ∼1 мэВ. При одноосном сжатии эта величина возрастает.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть