|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Проявление термоактивационной проводимости в гетероструктурах p GaAs/Al0.5Ga0.5As под освещениемтезисы доклада
- Авторы: Ильевский А.А., Минина Н.Я.
- Сборник: Восьмая Всероссийская Научная Конференция Студентов-физиков и молодых ученых. Сборник тезисов
- Тезисы
- Год издания: 2002
- Место издания: Екатеринбург
- Первая страница: 186
- Аннотация: Обнаружено, что в гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As при температурах ниже 5.5 К сопротивление ρxx в освещенном состоянии проявляет термоактивационный характер, в то время как темновая зависимость ρxx(T) сохраняет металлический характер. Приложение одноосного сжатия сильно увеличивает эффект термоактивации. В освещенном состоянии при P = 4.4 кбар и T = 1.5 K сопротивление ρxx более чем на два порядка выше, чем в темновом ненагруженном состоянии. Предполагается, что данное явление связывается с существованием глубоких донорных уровней, расположенных вблизи гетерограницы.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна