|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Persistent photoconductivity in p-type Al0.5Ga0.5As/GaAs/A0.5Ga0.5As heterostructuresстатья
- Авторы: Kraak W., Minina N.Ya, Savin A.M., Ilievsky A.A., Berman I.V.
- Сборник: Proceedings of 9th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology»
- Год издания: 2001
- Место издания: Санкт-Петербург
- Первая страница: 499
- Последняя страница: 501
- Аннотация: Освещение двойной гетероструктуры p-Al{0.5}Ga{0.5}As/GaAs/Al{0.5}Ga{0.5}As красным светодиодом приводит к появлению отрицательной фотопроводимости, которая после выключения светодиода релаксирует к положительной долгоживущей фотопроводимости. Положительная фотопроводимость характеризуется увеличением концентрации и подвижности носителей тока соответственно в 1.5 и 1.7 раза по сравнению с темновыми значениями. Это явление объясняется присутствием глубоких электронных ловушек на инвертированной гетерогранице, которые, захватывая электроны в процессе облучения, вызывают увеличение общей концентрации дырок в квантовой яме.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна