|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Anisotropy of energy spectrum and transport properties in uniaxially strained GaAs/AlGaAsстатья
- Авторы: Bogdanov E.V., Minina N.Ya, Polyanskiy A.V., Savin A.M., Hansen O.P., Sorensen C.B.
- Сборник: Reviews and short notes. Proceedings of NANOMEETING-2003. Minsk, Belarus, 20 May - 23 May, 2003
- Год издания: 2003
- Издательство: WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD
- Местоположение издательства: 5 TOH TUCK LINK, SINGAPORE,SINGAPORE, 596224
- Первая страница: 210
- Последняя страница: 213
- Аннотация: В условиях одноосного сжатия до 5 кбар исследованы транспортные свойства двумерного электронного и дырочного газа на гетерогранице (001)GaAs/AlXGa1-XAs. Из измерений эффекта Холла, квантовых осцилляций сопротивления и проводимости определены подвижности и концентрации носителей заряда. Как установлено численными расчетами одноосное сжатие в плоскости структуры существенно изменяет энергетический спектр p GaAs/AlXGa1 XAs, что приводит к обнаруженной под давлением сильной анизотропии подвижностей двумерных дырок. В случае гетероструктур n-типа одноосное сжатие вызывает лишь заметное изменение концентрации носителей и соответствующее небольшое изменение анизотропии подвижностей двумерных электронов, которая целиком объясняется зависимостью анизотропного рассеяния на шероховатостях гетерограницы от концентрации носителей.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович