|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Electroluminescence in laser diode nanostructures p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1 xAs under uniaxial compressionстатья
- Авторы: Bogdanov E.V., Minina N.Ya, Shirokov S.S., Yunovich A.E., Kissel H.
- Сборник: Reviews and short notes. Proceedings of NANOMEETING-2009. Minsk, Belarus, 26 - 29 May, 2009
- Год издания: 2009
- Место издания: World Scientific Pub. Co. Pte. Ltd Singapore, Singapore
- Первая страница: 609
- Последняя страница: 612
- Аннотация: New results on the influence of uniaxial stress up to P = 4 kbar along [110] and [1-10] directions on the electroluminescence spectra of laser diode nanostructures p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs are presented. With increasing stress, the emission spectra demonstrate a blue shift of up to 20-25 meV at P = 3 - 4 kbar, while the electroluminescence intensity and light efficiency increas under compression. The results are discussed in terms of changes in the band structure under uniaxial compression.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович