Низкотемпературная фотопроводимость в квантовой яме p-Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As с нормальной и инвертированной гетерограницамистатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.

Работа с статьей


[1] Низкотемпературная фотопроводимость в квантовой яме p-al0.5ga0.5as/gaas/al0.5ga0.5as с нормальной и инвертированной гетерограницами / Н. Б. Брандт, Е. В. Богданов, А. А. Ильевский и др. // Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия. — 2006. — № 5. — С. 48–52. В двойной гетероструктуре p-Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As с нормальной и инвертированной гетерограницами при низких температурах 1.7 – 160 K обнаружены эффекты отрицательной и положительной задержанной фотопроводимости. Показано, что отрицательная фотопроводимость возникает под освещением структуры красным светом, существует ниже ∼ 70 K, связана с падением концентрации 2D дырок и объясняется существованием вблизи гетерограницы слоя глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера E_(B) = 6 +- 0.9 мэВ. Положительная задержанная фотопроводимость возникает после выключения освещения и релаксации отрицательной фотопроводимости, она определяет изменение концентрации в области температур 70 – 140 К и связывается с электронными ловушками на инвертированной гетерогранице с активационным барьером 22 +- 2 мэВ. Влияние одноосного сжатия на величину термоактивационных барьеров не обнаружено.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть