|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Низкотемпературная фотопроводимость в квантовой яме p-Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As с нормальной и инвертированной гетерограницамистатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Брандт Н.Б., Богданов Е.В., Ильевский А.А., Краак В., Минина Н.Я.
- Журнал: Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
- Номер: 5
- Год издания: 2006
- Издательство: Изд-во Моск. ун-та
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 48
- Последняя страница: 52
- Аннотация: В двойной гетероструктуре p-Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As с нормальной и инвертированной гетерограницами при низких температурах 1.7 – 160 K обнаружены эффекты отрицательной и положительной задержанной фотопроводимости. Показано, что отрицательная фотопроводимость возникает под освещением структуры красным светом, существует ниже ~ 70 K, связана с падением концентрации 2D дырок и объясняется существованием вблизи гетерограницы слоя глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера E_(B) = 6 +- 0.9 мэВ. Положительная задержанная фотопроводимость возникает после выключения освещения и релаксации отрицательной фотопроводимости, она определяет изменение концентрации в области температур 70 – 140 К и связывается с электронными ловушками на инвертированной гетерогранице с активационным барьером 22 +- 2 мэВ. Влияние одноосного сжатия на величину термоактивационных барьеров не обнаружено.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович