Аннотация:Полупроводники на основе оксидов металлов представляют собой важный класс материалов для газовых сенсоров. Один из них – диоксид олова – широкозонный полупроводник n-типа. Для улучшения сенсорных характеристик SnO2 подвергают химической модификации. Модификация при помощи SiO2 позволяет добиться стабилизации наноструктуры SnO2. Известные метода получения SnO2 [1], [2], [3] сопряжены с загрязнением продукта хлорид-ионами, требуют дорогостоящих реактивов, расхода большого количества растворителей или ограничивают введение модификаторов. Использование тетраацетатов элементов IV А группы для получения композитов на основе SnO2 позволяет обеспечить однородное распределение элементов на этапе образования оксидов и осуществлять введение иных компонентов как для легирования, так и поверхностной модификации. В литературе сведения об использовании данного подхода для синтеза материалов SnO2/SiO2 не представлены.
