|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Эпитаксиальный рост, структура и электронный транспорт тонких пленок иридата стронциястатья
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Авторы: Дубицкий Никита В., Байдикова Виктория А., Овсянников Геннадий А., Москаль Иван Е., Петржик Андрей М., Шадрин Антон В.
- Журнал: Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии
- Том: 17
- Номер: 4
- Год издания: 2025
- Издательство: Общероссийская общественная организация Российская академия естественных наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 439
- Последняя страница: 448
- DOI: 10.17725/rensit.2025.17.439
- Аннотация: Разработана методика получения эпитаксиальных тонких SrIrO3 пленок иридата стронция с помощью высокочастотного магнетронного распыления на монокристаллических подложках: (110)NdGaO3, (001)SrTiO3 и (001)(LaAlO3)0.3(Sr2TaAlO6)0.7 (LSAT). С помощью рентгеновской дифракции изучены структурные особенности и влияние напряжений в тонких пленках, вызванных различием параметров элементарной ячейки пленки и подложки. Анализ температурной зависимости сопротивления выявил влияние рассеяния магнитных примесей, вызванных кислородными вакансиями, на электронный транспорт пленок. С использованием рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии определена величина спин-орбитального расщепления для оболочки 4f иридия Ir, которая варьируется от 2.99 eV для пленки на (001)NdGaO3 до 3.03 eV для пленки на (001)SrTiO3, что связано с концентрацией кислородных вакансий, совершенством структуры и стехиометрией.
- Добавил в систему: Дубицкий Никита Владимирович