|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Радиационные испытания элементов микроэлектроники при эффектах низкой интенсивностистатья
- Авторы: Орешко А.П., Протопов Г.А., Яковлев М.В.
- Журнал: Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру
- Номер: 3
- Год издания: 2025
- Издательство: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборов"
- Местоположение издательства: Лыткарино
- Первая страница: 5
- Последняя страница: 9
- Аннотация: Разработаны предложения по экспериментальному подтверждению применимости модели равновесных зарядовых состояний в элементах микроэлектроники, в которых наблюдается эффект ELDRS.
- Добавил в систему: Орешко Алексей Павлович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|