Аннотация:Использование методов акустоэлектроники и интеграция нанобиосенсоров с акустическими ли-
ниями задержки в рамках планарных технологий дают возможность создания акустобионаноэлек-
тронных датчиков с повышенной чувствительностью и селективностью. В работе разработан аку-
стоэлектрический чип–сенсор на основе монокристаллической пластины ниобата лития толщиной
0.35мм с системой встречно–штыревых преобразователей (ВШП) для возбуждения соответствую-
щей акустической волны, который вставляется в чип–холдер со стандартным разъемом ножевого
типа. Для создания планарной наноструктуры наноэлектронного трансдьюсера использовалась тех-
нология стандартной фотолитографии, различных фоторезистов и реактивного ионного травления
и магнетронного напыления. Область размером 80х80мкм в центре чипа служила для формиро-
вания электронной наноструктуры, которая является прообразом наноэлектронного трансдьюсера.
В полученных наноструктурах могут быть сформированы нанозазоры для иммобилизации молекул
белков–ферментов и создании селективных молекулярных биосенсоров.
