Аннотация:Материалы на основе оксида никеля активно изучаются в качестве полупроводников р-типа, в которых основными носителями заряда являются дырки. Монокристаллы NiO обладают химической стабильностью, широкой запрещенной зоной 3.7 эВ и высокой прозрачностью в видимой области. Кроме того, благодаря заметным электрическим, оптическим и магнитным свойствам большое внимание уделяется тонким пленкам NiO. Антиферромагнетизм NiO при комнатной температуре сделал этот материал перспективным в качестве элемента спинтронных тонкопленочных устройств. Эпитаксиально выращенные материалы имеют существенное преимущество из-за уменьшения количества структурных дефектов. Метод химического осаждения из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (MOCVD) является перспективным методом получения тонких эпитаксиальных пленок. Целью данной работы является MOCVD-синтез эпитаксиальных пленок NiO на различных монокристаллических подложках.
