Рентгеновская рефлектометрия и фотоэлектронная спектроскопия сверхрешеток с нанокристаллами кремниястатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 февраля 2018 г.

Работа с статьей


[1] Рентгеновская рефлектометрия и фотоэлектронная спектроскопия сверхрешеток с нанокристаллами кремния / Д. М. Жигунов, И. А. Каменских, А. М. Лебедев и др. // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2017. — Т. 106, № 8. — С. 496–501. В работе исследованы структурные свойства и особенности химического состава многослойных тонких пленок SiOxNy/SiO2, SiOxNy/Si3N4 и SiNx/Si3N4 с ультратонкими (1-1.5 нм) барьерными слоями SiO2 или Si3N4. Пленки были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы и отожжены при температуре 1150 oС для формирования нанокристаллов кремния в обогащенных кремнием слоях SiOxNy или SiNx номинальной толщиной 5 нм. Период сверхрешеток в исследуемых образцах был оценен методом рентгеновской рефлектометрии. Фазовый состав сверхрешеток был исследован методом рентгеноэлектронной спектроскопии с использованием разложения фотоэлектронных спектров Si 2p-, N 1s- и O 1s-уровней на компоненты, соответствующие различным зарядовым состояниям атомов.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть