Shubnikov de_Haas Effect and Electron Mobilities in the Isomorphic InGaAs Quantum Well With the InAs Insert on the InP Substrateстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 5 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Shubnikov de_haas effect and electron mobilities in the isomorphic ingaas quantum well with the inas insert on the inp substrate / V. A. Kulbachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin et al. // Journal of Physics: Conference Series. — 2014. — Vol. 568. — P. 052013–1–052013–5. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть