Damage and etching of ultra low-k materials in fluorocarbon plasma at lowered temperaturesстатья Исследовательская статья Электронная публикация

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 25 февраля 2018 г.

Работа с статьей


[1] Damage and etching of ultra low-k materials in fluorocarbon plasma at lowered temperatures / D. Lopaev, Y. A. Mankelevich, T. V. Rakhimova et al. // Journal of Physics D - Applied Physics. — 2017. — Vol. 50. — P. 485202. SiOCH ULK films with k-value from 2.5 to 2.1 and porosity from 24 to 40 % were etched in CHF3, CHF3+Ar, CF4 and CF4+Ar plasmas at +15…-120 oC with and without bias being applied. It was shown that the presence of Ar in gas mixture can significantly increase the damage of unetched ultra low-k (ULK) material (at sidewalls) due to the removal of –CH3 groups from the film by VUV photons. It was also shown that etching and damage of the sidewalls by F atoms can be partially prevented by lowering the temperature of the sample. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть