|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Особенности магнитных свойств Co/Si/Co тонкопленочных системтезисы доклада
- Авторы: Рожновская А.А., Харламова А.М., Зайков К.В.
- Сборник: Материалы Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2012»
- Редакторы: Андреев А.И., Андриянов Андрей Владимирович, Антипов Евгений Александрович, Чистякова М.В.
- Тезисы
- Год издания: 2012
- Издательство: ООО "МАКС Пресс"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 290
- Последняя страница: 291
- Аннотация: Co/Si/Co тонкопленочных системы были получены методом магнетронного распыления на тонкую стеклянную подложку. Толщина магнитных Co слоев была равна 5 нм, а полупроводникового Si слоя изменялась от 0.2 нм до 3.2 нм. Co/Si/Co структуры имеют плоскостную магнитную анизотропию с лёгкой осью намагничивания, совпадающей с направлением магнитного поля, приложенного в процессе напыления пленок. Зависимость поля насыщения Co/Si/Co структур от толщины полупроводникового Si слоя имеет осциллирующий характер. Период этих осцилляций порядка 2 нм. Полученные данные объяснены наличием обменного взаимодействия между магнитными слоями через полупроводниковый разделительный слой и его осцилляционным поведением с изменением толщины Si.Наличие более длинного периода осцилляций HS было объяснено влиянием квантовых размерных эффектов, проявляющихся в изменении электронной структуры ультратонкого магнитного слоя по сравнению с объемным образцом.
- Добавил в систему: Харламова Анна Михайловна