Одноэлектронный транзистор на базе одноатомного зарядового центратезисы доклада Исследовательская статья

Работа с тезисами доклада

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст ottisk_atomnyij_t-r_1025-1031.pdf 1,5 МБ 4 октября 2017 [SoldatovES]

[1] Одноэлектронный транзистор на базе одноатомного зарядового центра / В. Р. Гайдамаченко, Е. К. Белоглазкина, Р. А. Петров и др. // Сборник трудов 27-й Международной Крымской конференции СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, 10—16 сентября 2017 г. Севастополь, Крым, Россия. — Т. 4. — г. Севастополь, Россия, 2017. — С. 1025–1031. Разработана оригинальная методика изготовления металлических электродов нанотранзистора с нанозазором менее 4 нм между ними с помощью контролируемой электромиграции предварительно подвешенных нанопроводов системы. Разработан метод встраивания молекулы аурофильного производного терпиридина на основе родия между полученными электродами. Приведены характеристики электронного транспорта через систему, включающую указанную молекулу, свидетельствующие о реализации режима коррелированного (одноэлектронного) туннелирования электронов.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть