Место издания:Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук (ИФТТ РАН) Москва
Аннотация:В качестве сцинтилляционных материалов для применения в физике высоких энергий и космических исследованиях чаще всего используются оксидные монокристаллы высокого оптического качества с необходимым набором заданных характеристик. Перспективным кандидатом для таких применений является кристалл Gd3Al2Ga3O12:Се3+ (GAGG:Ce3+), относящийся к классу гранатов. Фундаментальные оптические свойства и микротвердость GAGG:Ce3+ в зависимости от высокотемпературного отжига и облучения электронами изучены недостаточно, остается невыясненным процесс дефектообразования в кристаллах после подобных обработок. В связи с этим, в данной работе исследуются кристаллы составов GAGG:Ce в исходном состоянии, после высокотемпературных отжигов в вакууме и на воздухе, после облучения электронами и совместных отжигов и облучения электронами. Кристаллы выращены в АО «Фомос-Материалы». Исследования оптических свойств и микротвердости проводились в аккредитованной испытательной лаборатории «Монокристаллы и заготовки на их основе» НИТУ МИСИС. Спектрофотометрическими методами на спектрофотометре Cary-5000 с приставкой UMA (Agilent technologies) получены спектральные зависимости коэффициентов пропускания, на основании которых рассчитаны показатели ослабления, оптическая ширина запрещенной зоны. Методом Виккерса на микротвердомере Aaffri DM 8 B Auto измерена микротвердость, которая переведена в твердость по Моосу. Установлено влияние отжигов и облучения электронами на оптические и механические свойства в зависимости от способа обработки GAGG:Ce3+, а также на дефектообразование в кристалле.