Динамика парамагнитных центров в оксиде гафния в процессе электронно-лучевого напыления

Константинова, Е.А.; Королёва, А.В.; Павликов, А.В.; Кытина, Е.В.; Ильин, А.С.; Мартышов, М.Н.

Авторы: Константинова Е.А., Королёва А.В., Павликов А.В., Кытина Е.В., Ильин А.С., Мартышов М.Н.
Журнал: Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия
Том: 80
Номер: 3
Год издания: 2025
Издательство: Изд-во Моск. ун-та
Местоположение издательства: М.
Первая страница: 2530501–1
Последняя страница: 2530501–5
Номер статьи: 2530501
DOI: 10.55959/MSU0579-9392.80.2530501
Аннотация: Обладающий высокой диэлектрической проницаемостью оксид гафния представляет интерес для использования в качестве мемристоров в электронике. В данной работе впервые выполнен сравнительный анализ типа и основных характеристик парамагнитных центров в серии образцов, которые прошли последовательные стадии синтеза: от исходного образца-мишени до пленки на подложке. Установлено, что основным типом дефектов в исследуемых материалах являются кислородные вакансии с неспаренным электроном (F + -центры). Обнаружено, что в процессе распыления мишени (кристаллического оксида гафния) концентрация F+ -центров уменьшается, вероятно, в процессе перезарядки. Установлено, что в напыленной пленке оксида гафния концентрация F+ -дефектов возрастает на порядок величины. Обнаруженный экспериментальный факт объясняется неупорядоченной (аморфной) структурой пленки.
Добавил в систему: Павликов Александр Владимирович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Динамика парамагнитных центров в оксиде гафния в процессе электронно-лучевого напылениястатья

Прикрепленные файлы