Широкополосная фоточувствительная матрица на основе восстановленного оксида графена и углеродных наночастиц с множественными резистивными состояниямитезисы докладаТезисы
Аннотация:Оксид графена (ОГ) является перспективным 2D материалом, так как егоширина запрещенной зоны зависит от степени восстановления. Привосстановлении ОГ возрастает проводимость и появляются возможностисоздания таких полупроводниковых структур, как мемристоры, где происходятобратимые переключения высокоомных и низкоомных состояний при измененииприкладываемого потенциала [1]. В гетероструктурах ОГ сфоточувствительными слоями появляется возможность контролировать этисостояния не только смещением напряжения, но и светом.Углеродные наночастицы (УНЧ) схожи по химическому составу с ОГ, нопри этом, по данным УФ и ФЛ спектроскопии, поглощают свет в видимомдиапазоне, возбуждая электроны и дырки, что может приводить к изменениюпроводимости.Целью данной работы было создание полупроводниковойфоточувствительной матрицы на основе модифицированной пленки ОГ [2,3] иУНЧ с множественными резистивными состояниями.Полученные структуры на основе ОГ и УНЧ обладаютфоточувствительным откликом проводимости при облучении светом в диапазоне405-650 нм. При этом демонстрируют множественные резистивные состояния,которые можно контролировать с помощью смещения напряжения и изменениядлины волны света. Такого рода гетероструктуру можно рассматривать какматрицу, которая может быть использована для создания широкополосногофотодетектора и фотомемристора.Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 23-49-00159Список литературы[1] A.N. Baranov, N. D. Mityushev, A. A.Firsov etal.//Journal of Structural Chemistry.2024. Vol.65, no.4. P.840–847.[2] -N.D.Mitiushev, I.I.Khodos, E.N.Kabachkov etal.//Materials Letters. 2024. Vol.372. P.136989.[3] N.Mitiushev, E.Kabachkov, K.Laptinskiy etal.//ACS applied materials &interfaces. 2023. Vol.15, no.45. — P.52853–52862.
