Высокочувствительные сенсоры электрического поля на основе транзисторов с каналом нанопроводомтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Высокочувствительные сенсоры электрического поля на основе транзисторов с каналом нанопроводом / Д. Е. Преснов, А. С. Трифонов, И. В. Божьев и др. // Proceedings of the 27th International Conference Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo’2017) Sevastopol, Russian Federation, September 10—16, 2017. — Т. 4. — КНТЦ им. Попова Москва ; Минск ; Севастополь, 2017. — С. 960–965. Представлены оригинальные методы изготовления и проведен анализ экспериментального исследования высокочувствительных полевых и зарядовых сенсоров на основе кремниевых нанопроводов. Полевые транзисторы с каналом-нанопроводом изготавливались из кремния на изоляторе с толщиной верхнего кремниевого слоя 110 нм традиционными для полупроводниковой электроники методами электронной литографии и реактивно-ионного травления. Разработана технология изготовления полевых сенсоров для проведения биоспецифических и локальных исследований. Продемонстрирован локальный полевой зонд с чувствительным элементом в виде полупроводникового нанопровода, расположенного на нанометровом расстоянии от острия зонда, обладающий высоким пространственным разрешением. Разработаны и исследованы высокочувствительные биосенсоры на основе транзисторов с каналом-анопроводом. Продемонстрирована их высокая чувствительность к рН и белковым комплексам.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть