|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Высокочувствительные сенсоры электрического поля на основе транзисторов с каналом нанопроводомтезисы доклада
- Авторы: Преснов Д.Е., Трифонов А.С., Божьев И.В., Дорофеев А.А., Крупенин В.А.
- Сборник: Proceedings of the 27th International Conference «Microwave & Telecommunication Technology» (CriMiCo’2017) Sevastopol, Russian Federation, September 10—16, 2017
- Том: 4
- Тезисы
- Год издания: 2017
- Место издания: КНТЦ им. Попова Москва ; Минск ; Севастополь
- Первая страница: 960
- Последняя страница: 965
- Аннотация: Представлены оригинальные методы изготовления и проведен анализ экспериментального исследования высокочувствительных полевых и зарядовых сенсоров на основе кремниевых нанопроводов. Полевые транзисторы с каналом-нанопроводом изготавливались из кремния на изоляторе с толщиной верхнего кремниевого слоя 110 нм традиционными для полупроводниковой электроники методами электронной литографии и реактивно-ионного травления. Разработана технология изготовления полевых сенсоров для проведения биоспецифических и локальных исследований. Продемонстрирован локальный полевой зонд с чувствительным элементом в виде полупроводникового нанопровода, расположенного на нанометровом расстоянии от острия зонда, обладающий высоким пространственным разрешением. Разработаны и исследованы высокочувствительные биосенсоры на основе транзисторов с каналом-анопроводом. Продемонстрирована их высокая чувствительность к рН и белковым комплексам.
- Добавил в систему: Крупенин Владимир Александрович