|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Phase transitions in a two-dimensional system of dipolar excitons in a double-well SiGe/Si heterostructureстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 января 2018 г.
- Авторы: Burbaev T.M., Akmaev M.A., Sibeldin N.N., Ushakov V.V., Novikov A.V., Lobanov D.N.
- Журнал: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
- Том: 81
- Номер: 3
- Год издания: 2017
- Издательство: Allerton Press Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 341
- Последняя страница: 344
- DOI: 10.3103/S1062873817030054
- Аннотация: The transition from a dipolar electron–hole liquid (EHL) to a spatially direct one in two-dimensional layers of a type II (buffer Si1–yGey)/tSi/sSi1–xGex/tSi/(cap Si1–yGey) heterostructure is studied via photoluminescence spectroscopy at helium temperatures and high excitation levels. This transition occurs when the sSi1–xGex barrier layer for electrons (a quantum well (QW) for holes), that separates electron QWs (tSi layers) gets thinner. The basic parameters of both types of EHLs and the lifetime of dipolar excitons are determined.
- Добавил в систему: Акмаев Марк Александрович