Аннотация:В работе проведено исследование электронных свойств и токового транспорта в многослойных структурахS-FsF-s, S-FsF-s-I-S и S-FsF-sN, содержащих сверхпроводниковые S, ферромагнитные F, туннельные I и нормально металлические N слои [1–3]. В рамках микроскопических расчетов на основе уравнений Узаделя показана принципиальная возможность управления состоянием структуры путем перемагничивания одного из ферромагнитных слоев. Показано, что плавный поворот угла относительной намагниченности двух ферромагнитных слоев приводит к плавному изменению критического тока и кинетической индуктивности системы. При этом, если при повороте относительного угла намагниченности в структуре происходит 0-π-переход, то он сопровождается полным разрушением синглетной компоненты амплитуды спаривания в тонком сверхпроводящем слое структуры, что приводит к формированию особенности на зависимости критического тока и кинетической индуктивности.
