Влияние кристаллографической ориентации подложки на скорость роста анодного оксида алюминия

Кушнир, С.Е.; Кузнецов, М.Е.; Девянина, Н.П.; Капелюшников, А.С.; Комарова, Т.Ю.; Росляков, И.В.; Лысков, Н.В.; Свяховский, С.Е.; Напольский, К.С.

Авторы: Кушнир С.Е., Кузнецов М.Е., Девянина Н.П., Капелюшников А.С., Комарова Т.Ю., Росляков И.В., Лысков Н.В., Свяховский С.Е., Напольский К.С.
Сборник: III Международная конференция «Фундаментальные и прикладные вопросы электрохимического и химико-каталитического осаждения и защиты металлов и сплавов» памяти чл.-корр. РАН Ю.М. Полукарова, 26-27 ноября 2024 г., Москва. Сборник тезисов докладов
Тезисы
Год издания: 2024
Место издания: Москва, ИФХЭ РАН
Первая страница: 29
Последняя страница: 29
Аннотация: В результате анодного окисления алюминия на его поверхности образуется анодный оксид алюминия (АОА). Этот процесс используются для защиты алюминиевых деталей от коррозии. Даже при анодировании высокочистого алюминия получаемое покрытие визуально неоднородно. Одной из причин возникновения неоднородности может быть кристаллографическая ориентация алюминия, влияющая на протекание процесса анодирования. В ходе работы были получены систематические данные о влиянии кристаллографической ориентации алюминиевой подложки на скорость анодного окисления алюминия и скорость формирования АОА при различных напряжениях анодирования в электролитах на основе серной, щавелевой и селеновой кислот. Экспериментально определены количественные зависимости относительного сдвига положения фотонной запрещённой зоны (ΔλФЗЗ) от кристаллографической ориентации алюминиевой подложки и среднего напряжения анодирования. В 2 М H2SO4, 0,3 M H2C2O4 и 1 М H2SeO4 при низких напряжениях наибольший (положительный) ΔλФЗЗ наблюдается для АОА, образованного на зёрнах, с ориентацией близкой к (100) в направлении нормали, тогда как наименьший (отрицательный) ΔλФЗЗ наблюдается на зёрнах Al(111). С ростом среднего напряжения анодирования зависимость изменяется на противоположную: наибольший ΔλФЗЗ наблюдается на зёрнах с ориентацией близкой к (111), а наименьший – для Al(100). Данные оптической профилометрии показали, что зависимость скорости электрохимического окисления алюминия от ориентации подложки и напряжения анодирования на качественном уровне повторяет зависимость ΔλФЗЗ. Наименьшее влиянии кристаллографической ориентации подложки наблюдается в области средних напряжений: 12,5 В для 2 М H2SO4, 40 В для 1 М H2SeO4 и 50 В для 0,3 M H2C2O4. Максимальный эффект влияния кристаллографической ориентации на λФЗЗ зафиксирован в 1 М H2SeO4 в случае анодирования при 40–45 В: 22,6%. Сдвиг λФЗЗ вызван в пределах погрешности исключительно зависимостью толщины и, следовательно, скорости роста АОА от кристаллографической ориентации алюминиевой подложки в нормальном направлении. Таким образом, найденные экспериментальные зависимости ΔλФЗЗ от кристаллографической ориентации алюминиевой подложки совпадают с зависимостью относительного изменения скорости формирования АОА от кристаллографической ориентации алюминиевой подложки.
Добавил в систему: Кушнир Сергей Евгеньевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Влияние кристаллографической ориентации подложки на скорость роста анодного оксида алюминиятезисы доклада

Прикрепленные файлы