Область гомогенности теллурида цинкастатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК

Работа с статьей


[1] Область гомогенности теллурида цинка / И. Х. Аветисов, Е. Н. Можевитина, А. В. Хомяков и др. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. — 2013. — № 1. — С. 4–10. Прямым физико−химическим методом исследована область гомогенности ZnTe в интервале температур 750—1455 K. Показано, что при хранении препаратов ZnTe на воздухе при комнатной температуре происходит окисление его поверхности, в результате которого определяемая концентрация сверхстехиометрического компонента смещается в сторону избытка теллура. Для неокисленных препаратов впервые было показано, что область гомогенности теллурида цинка носит двусторонний характер. Максимальная концентрация избыточного компонента составила: со стороны избытка теллура — 3,4 · 10−4 моль изб. Те/моль ZnTe при 1325 К, со стороны избытка цинка — 4,4 · 10−3 моль изб. Zn/моль ZnTe при 1292 К. Установлено, что при температурах ниже 1200 К линия солидуса имеет ретроградный характер. Учитывая результаты РФА и оптической микроскопии, сделан вывод, что полиморфный переход вюрцит — сфалерит в ZnTe протекает по перитектической реакции со стороны избытка обоих компонентов.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть