Nonstoichiometry and luminescent properties of ZnSe crystals grown from the melt at high pressuresстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 6 сентября 2017 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст 2017_Avetissov_ZnSe_HP_CRYS_23298-final.pdf 2,7 МБ 15 ноября 2017 [Avetisov]

[1] Nonstoichiometry and luminescent properties of znse crystals grown from the melt at high pressures / K. Tran, M. Elena, K. Andrew et al. // Journal of Crystal Growth. — 2017. — Vol. 457. — P. 331–336. ZnSe homogeneity region was studied by direct physico-chemical method in 730–1320K temperaturerange. It was established that the homogeneity region included stoichiometric composition and solidus lines both from Zn- and Se-rich sides demonstrated the retrograde behavior. Comparison of ZnSe nonstoichiometry with ionized defect concentrations at SZnSe–L(Zn)–V equilibrium had let us assert that at the examined conditions the dominant point defects are electrically neutral. Nonstoichiometry analysis of ZnSe crystals grown from melt under high pressure and from vapor by the Markov–Davydov technique showed that there were Se-excess over stoichiometry in melt grown ZnSe and Zn-excess close to stoichiometry in vapor grown crystals. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть