|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Anisotropy of two-dimensional electron and hole mobilities in (001) GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures under uniaxial stressстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Savin A.M., Minina N.Y., Polyanskiy A.V., Sorensen C.B., Hansen O.P., Berman I.V.
- Журнал: High Pressure Research
- Том: 22
- Номер: 2
- Год издания: 2002
- Издательство: Taylor & Francis
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 267
- Последняя страница: 270
- DOI: 10.1080/08957950212775
- Аннотация: Transport properties of two-dimensional electron and hole gas at (001)GaAs/AlxGa1-xAs heterointerface in [110] and [1-10] directions have been investigated for the first time under in plane uniaxial compression up to 5 kbar. Resistivity, Shubnikov-de Haas oscillations and Hall effect were measured and carrier densities and mobilities were determined. The in-plane uniaxial compression significantly modifies the energy spectrum of p-GaAs/AlxGa1-xAs that leads to strong anisotropy of hole mobility under compression. In the case of the n-type heterostructure uniaxial compression causes only change of the carrier concentration and the corresponding small change of the initial mobility anisotropy, determined by anisotropic surface roughness scattering.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна