|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Pressure dependence of 2D hole mobility in thermoactivated photoconductivity effect observed in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Berman I.V., Bogdanov E.V., Ilievsky A.A., Minina N.Y., Kraak W.
- Журнал: Physica Status Solidi (B): Basic Research
- Том: 241
- Номер: 14
- Год издания: 2004
- Издательство: John Wiley & Sons Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 3410
- Последняя страница: 3415
- DOI: 10.1002/pssb.200405228
- Аннотация: The temperature dependence of the 2D hole mobility in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructures has been investigated in dark and illuminated with red light states under uniaxial compression up to 3.4 kbar in the temperature interval 1.5–20 K. From numerical calculations it has been shown that the decrease of the 2D hole mobility below 5.5 K, where the recently observed thermoactivated negative photoconductivity takes place, may be well described by scattering on ionized deep donor-like traps located in Al0.5Ga0.5As in the vicinity of a heterointerface. According to the calculations, these traps are distributed in the spacer at distances of 7–48 nm from the heterointerface and their contribution to 2D hole scattering strongly increases under uniaxial compression.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна